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隨機(jī)存取47UF 35V存儲(chǔ)器

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隨機(jī)存取存儲(chǔ)器9.3.1 RAM的根基布局和事情道理 9.3.2 RAM的存儲(chǔ)單位一、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的存儲(chǔ)單位 ...

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
9.3.1 RAM的根基布局和事情道理

9.3.2 RAM的存儲(chǔ)單位
一、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的存儲(chǔ)單位電路
1.存儲(chǔ)單位
2.列選擇線(xiàn)Y和讀/寫(xiě)節(jié)制電路
二、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)的存儲(chǔ)單位電路

9.3.3 集成隨機(jī)存儲(chǔ)器2114A、2116先容
一、集成靜態(tài)存儲(chǔ)器2114A
二、集成動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器2116

9.3.4 RAM的擴(kuò)展
一、RAM的位擴(kuò)展
二、RAM的字?jǐn)U展
三、RAM的字、位擴(kuò)展

9.3 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
9.3.1 RAM的根基布局和事情道理
利益:讀寫(xiě)利便, ST電解電容,利用機(jī)動(dòng)。
缺點(diǎn):掉電丟失信息。


一、 RAM的布局和讀寫(xiě)道理

隨機(jī)存取47UF 35V存儲(chǔ)器


9.3.2 RAM的存儲(chǔ)單位
一、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的存儲(chǔ)單位電路

隨機(jī)存取47UF 35V存儲(chǔ)器

1.存儲(chǔ)單位
存儲(chǔ)單位由V1~V6構(gòu)成。兩個(gè)不變狀態(tài),別離存儲(chǔ)數(shù)據(jù)1和0。
2.列選擇線(xiàn)Y和讀/寫(xiě)節(jié)制電路
圖中V5、 V6為受列選擇線(xiàn)Y節(jié)制的門(mén)控管,G4、G5和三態(tài)門(mén)G1~G3組成讀/寫(xiě)節(jié)制電路。
當(dāng)列選擇線(xiàn)為低電子0時(shí),V7、V8均截至,封閉了存儲(chǔ)單位位線(xiàn)與輸入/輸出端的通路,使存儲(chǔ)單位的數(shù)據(jù)不能讀出,也不能被外信號(hào)改寫(xiě)。當(dāng)列選線(xiàn)為高電平1時(shí),V7、V8導(dǎo)通,對(duì)存儲(chǔ)單位可舉辦讀/寫(xiě)操縱,由讀/寫(xiě)節(jié)制電路和的狀態(tài)節(jié)制
二、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)的存儲(chǔ)單位電路
動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單位是由MOS管的柵極電容C和門(mén)控管構(gòu)成的。數(shù)據(jù)以電荷的形式存儲(chǔ)在柵極電容上,電容上的電壓高暗示存儲(chǔ)數(shù)據(jù)1;電容沒(méi)有儲(chǔ)存電荷,電壓為0,表白存儲(chǔ)數(shù)據(jù)0。因存在泄電,使電容存儲(chǔ)的信息不能持久保持,為防備信息丟失,就必需按時(shí)地給電容增補(bǔ)電荷,這種操縱稱(chēng)為“刷新”,由于要不絕地刷新,所以稱(chēng)為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)。
包羅4管MOS動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單位電路和單管MOS動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單位等

9.3.3 集成隨機(jī)存儲(chǔ)器2114A、2116先容
回收數(shù)字電路網(wǎng)絡(luò)課程或PowerPoint
一、集成靜態(tài)存儲(chǔ)器2114A


隨機(jī)存取47UF 35V存儲(chǔ)器

Intel2114A是單片1 K×4位(即有1 K個(gè)字,每個(gè)字4位)的靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM),它是雙列直插18腳封裝器件,回收5V供電, 33UF 100V,與TTL電平完全兼容。

二、集成動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器2116

隨機(jī)存取47UF 35V存儲(chǔ)器

Intel 2116單片16 K×1位動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM),是典范的單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)芯片。它是雙列直插16腳封裝器件,回收+12V和 5V三組電源供電,其邏輯電平與TTL兼容。

9.3.4 RAM的擴(kuò)展 (回收數(shù)字電路網(wǎng)絡(luò)課程或PowerPoint并舉辦接頭。)
當(dāng)單片RAM不能滿(mǎn)意存儲(chǔ)容量的要求時(shí),這時(shí)可把多個(gè)單片RAM舉辦組合,擴(kuò)展成大容量存儲(chǔ)器。
一、RAM的位擴(kuò)展

隨機(jī)存取47UF 35V存儲(chǔ)器

二、RAM的字?jǐn)U展
字?jǐn)U展就是把幾片溝通RAM的數(shù)據(jù)線(xiàn)并接在一起作為共用輸入輸出端(即位穩(wěn)定),讀/寫(xiě)節(jié)制線(xiàn)也接在一起,把地點(diǎn)線(xiàn)加以擴(kuò)展,用擴(kuò)展的地點(diǎn)線(xiàn)去節(jié)制各片RAM的片選線(xiàn) 。

隨機(jī)存取47UF 35V存儲(chǔ)器

三、RAM的字、位擴(kuò)展
當(dāng)RAM的位線(xiàn)和字線(xiàn)都需要擴(kuò)展時(shí),一般是先舉辦位擴(kuò)展,然后再舉辦字?jǐn)U展。


隨機(jī)存取47UF 35V存儲(chǔ)器

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