1) 晶振是有源晶振的簡稱，又叫振蕩器。英文名稱是oscillator。晶體則是無源晶振的簡稱，也叫諧振器。英文名稱是crystal。

　　2) 無源晶振(晶體)一般是直插兩個腳的無極性元件，需要借助時鐘電路才氣發(fā)生振蕩信號。常見的有49U、49S封裝。

　　3) 有源晶振(晶振)一般是表貼四個腳的封裝，內(nèi)部有時鐘電路，只需供電便可發(fā)生振蕩信號。一般分7050、5032、3225、2520幾種封裝形式。

　　2. MEMS硅晶振與石英晶振區(qū)別

　　MEMS硅晶振回收硅為原質(zhì)料，回收先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造而成。因此在高機(jī)能與低本錢方面，有明明于石英的優(yōu)勢，詳細(xì)表示在以下方面：

　　1) 全自動化半導(dǎo)體工藝(芯片級)，無氣密性問題，永不斷振。

　　2) 內(nèi)部包括溫補(bǔ)電路，無溫漂，-40—85℃全溫?fù)?dān)保。

　　3) 平均無妨礙事情時間5億小時。

　　4) 抗震機(jī)能25倍于石英振蕩器。

　　5) 支持1-800MHZ任一頻點，準(zhǔn)確致小數(shù)點后5位輸出。

　　6) 支持1.8V、2.5V、2.8V、3.3V多種事情電壓匹配。

　　7) 支持10PPM、20PPM、25PPM、30PPM、50PPM等各類精度匹配。

　　8) 支持7050、5032、3225、2520所有尺度尺寸封裝。

　　9) 尺度四腳、六腳封裝，無需任何設(shè)計竄改，直接替代石英振蕩器。

　　10) 支持差分輸出、單端輸出、壓控(VCXO)、溫補(bǔ)(TCXO)等產(chǎn)物種類。

　　11) 300%的市場增長率，三年內(nèi)有望替代80%以上的石英振蕩器市場。

　　3. 晶體諧振器的等效電路

　　上圖是一個在諧振頻率四周有與晶體諧振器具有溝通阻抗特性的簡化電路。個中：C1為動態(tài)電容也稱等效串聯(lián)電容;L1為動態(tài)電感也稱等效串聯(lián)電感;R1為動態(tài)電阻也稱等效串聯(lián)電阻;C0為靜態(tài)電容也稱等效并聯(lián)電容。

　　這個等效電路中有兩個最有用的零相位頻率，個中一個是諧振頻率(Fr)，另一個是反諧振頻率(Fa)。當(dāng)晶體元件實際應(yīng)用于振蕩電路中時，它一般還會與一負(fù)載電容相聯(lián)接，配合浸染使晶體事情于Fr和Fa之間的某個頻率，這個頻率由振蕩電路的相位和有效電抗確定，通過改變電路的電抗條件， VT貼片鋁電解電容，就可以在有限的范疇內(nèi)調(diào)理晶體頻率。

　　4. 要害參數(shù)

　　4.1 標(biāo)稱頻率

　　指晶體元件類型中所指定的頻率，也即用戶在電路設(shè)計和元件選購時所但愿的抱負(fù)事情頻率。

　　4.2 調(diào)解頻差

　　基準(zhǔn)溫度時，事情頻率相對付標(biāo)稱頻率的最大答允偏離。常用ppm(1/106)暗示。

　　4.3 溫度頻差

　　在整個溫度范疇內(nèi)事情頻率相對付基準(zhǔn)溫度時事情頻率的答允偏離。常用ppm(1/106)暗示。

　　4.4 老化率

　　指在劃定條件下，由于時間所引起的頻率漂移。這一指標(biāo)對緊密晶體是須要的，但它“沒有明晰的試驗條件，而是由制造商通過對所有產(chǎn)物有打算抽驗舉辦持續(xù)監(jiān)視的，某些晶體元件大概比劃定的程度要差，這是答允的”(按照IEC的通告)。老化問題的最好辦理要領(lǐng)只能靠制造商和用戶之間的密切協(xié)商。

　　4.5 諧振電阻(Rr)

　　指晶體元件在諧振頻率處的等效電阻，當(dāng)不思量C0的浸染，也近似便是所謂晶體的動態(tài)電阻R1或稱等效串聯(lián)電阻(ESR)。這個參數(shù)節(jié)制著晶體元件的品質(zhì)因數(shù)，還抉擇所應(yīng)用電路中的晶體振蕩電平，因而影響晶體的不變性乃至是否可以抱負(fù)的起振。所以它是晶體元件的一個重要指標(biāo)參數(shù)。一般的，對付一給定頻率，選用的晶體盒越小，ESR的平均值大概就越高;絕大大都環(huán)境，在制造進(jìn)程中并不能估量詳細(xì)某個晶體元件的電阻值，而只能擔(dān)保電阻將低于類型中所給的最大值。

　　4.6 負(fù)載諧振電阻(RL)

　　指晶體元件與劃定外部電容相串聯(lián)，在負(fù)載諧振頻率FL時的電阻。對一給定晶體元體，其負(fù)載諧振電阻值取決于和該元件一起事情的負(fù)載電容值，串上負(fù)載電容后的諧振電阻，老是大于晶體元件自己的諧振電阻。

　　4.7 負(fù)載電容(CL)

　　與晶體元件一起抉擇負(fù)載諧振頻率FL的有效外界電容。晶體元件類型中的CL是一個測試條件也是一個利用條件，這個值可在用戶詳細(xì)利用時按照環(huán)境作適當(dāng)調(diào)解，來微調(diào)FL的實際事情頻率(也即晶體的制造公差可調(diào)解)。但它有一個符合值，不然會給振蕩電路帶來惡化，其值凡是回收10pF、15pF 、20pF、30pF、50pF、∝等，個中當(dāng)CL標(biāo)為∝時暗示其應(yīng)用在串聯(lián)諧振型電路中，不要再加負(fù)載電容，而且事情頻率就是晶體的(串聯(lián))諧振頻率Fr。用戶該當(dāng)留意，對付某些晶體(包羅不封裝的振子應(yīng)用)，在某一出產(chǎn)類型既定的負(fù)載電容下(出格是小負(fù)載電容時)，±0.5pF的電路實際電容的毛病就能發(fā)生±10×10-6的頻率誤差。因此，負(fù)載電容是一個很是重要的訂貨類型指標(biāo)。

　　4.8 靜態(tài)電容(C0)

　　等效電路靜態(tài)臂里的電容。它的巨細(xì)主要取決于電極面積、晶片厚度和晶片加工工藝。

　　4.9 動態(tài)電容(C1)

　　等效電路中動態(tài)臂里的電容。它的巨細(xì)主要取決于電極面積，別的還和晶片平行度、微調(diào)量的巨細(xì)有關(guān)。

　　4.10 動態(tài)電感(L1)

　　等效電路中動態(tài)臂里的電感。動態(tài)電感與動態(tài)電容是一對相關(guān)量。

　　4.11 諧振頻率(Fr)