e絡(luò)盟供貨安世半導(dǎo)體功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
全球電子元器件與開(kāi)拓處事分銷商e絡(luò)盟公布供給安世半導(dǎo)體最新系列功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)。該創(chuàng)新系列GaN FET外形尺寸小,可實(shí)現(xiàn)高功率密度及高效率功率轉(zhuǎn)換,可以或許以較低的本錢開(kāi)拓出更高效系統(tǒng),同時(shí)還可助力電動(dòng)車、5G通信、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用改造電源機(jī)能。跟著越來(lái)越多的立法提高碳排放減排要求,實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換和更高的電氣化程度勢(shì)在必行。GaN FET這一創(chuàng)新系列為設(shè)計(jì)工程師提供了真正辦理這些問(wèn)題的有效方案。 GaN技能打破了硅基IGBT和SiC等現(xiàn)有技能的諸多范圍,可為各類功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用帶來(lái)直接和間接的機(jī)能效益。在電動(dòng)車規(guī)模,GaN技能可直接低落功率損耗,從而為汽車實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的行駛里程
頒發(fā)于 2020-09-18
東芝面向超低功率MCU開(kāi)拓隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管
東京—東芝公司(TOKYO:6502)本日公布面向超低功率微節(jié)制器(MCU)開(kāi)拓回收新事情道理的隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFET)。該事情道理已經(jīng)被應(yīng)用到利用CMOS平臺(tái)兼容工藝的兩種差異的TFET開(kāi)拓中。通過(guò)將每種TFET應(yīng)用到一些電路塊中,可實(shí)現(xiàn)大幅低落MCU的功耗。 9月9日和10日,東芝在日本筑波舉行的2014年固態(tài)元件與質(zhì)料(SSDM)國(guó)際集會(huì)會(huì)議上的三場(chǎng)展覽中展示了其TFET。個(gè)中的兩次展覽是成立在與日本財(cái)富技能綜合研究所(AIST)相助研究團(tuán)隊(duì)綠色納米電子中心(GNC)的連系研究的基本上。 無(wú)線設(shè)備和移動(dòng)設(shè)備
頒發(fā)于 2014-10-17
新型高耐壓功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
layer; On resistance; SCSOA 1 引言 在功率半導(dǎo)體器件中,MOSFET以其高開(kāi)關(guān)速度,低開(kāi)關(guān)損耗,低驅(qū)動(dòng)損耗等特點(diǎn)而在各類功率調(diào)動(dòng), 680uf 35v,出格是在高頻功率調(diào)動(dòng)中飾演著主要腳色。但跟著MOS耐壓的提高,其導(dǎo)通電阻也隨之以2.4~2.6次冪增長(zhǎng),其增長(zhǎng)速度使MOSFET制造者和應(yīng)用者不得不以數(shù)十倍的幅度低落額定電流, 47UF 35V,以折中額定電流、導(dǎo)通電阻和本錢之間的抵牾。即便如此,高壓MOSFET在額定結(jié)溫下的導(dǎo)通電阻發(fā)生的導(dǎo)通壓降仍居高不下,如表1所示。 表1管芯面積臨近,耐壓差異的MOSFET的導(dǎo)通壓降和新型布局MOSFET的導(dǎo)通壓降
頒發(fā)于 2011-05-20
功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET
1.概述 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)操作電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)節(jié)制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但凡是主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡(jiǎn)稱功率MOSFET(Power MOSFET)。結(jié)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感到晶體管(Static Induction Transistor——SIT)。其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)節(jié)制漏極電流,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)樸,需要的驅(qū)動(dòng)功率
頒發(fā)于 2007-05-28
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