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電解電容廠家具有自掩護(hù)成果的IGBT厚膜集成電路HL402A(B)的道理及應(yīng)用

時(shí)間: 2021-04-07 瀏覽次數(shù):
1引言絕緣柵控雙極型晶體管IGBT的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題是制約IGBT應(yīng)用的要害技能之一。驅(qū)動(dòng)電路機(jī)能欠好,經(jīng)常會(huì)...

  1引言

  絕緣柵控雙極型晶體管IGBT的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題是制約IGBT應(yīng)用的要害技能之一。驅(qū)動(dòng)電路機(jī)能欠好,經(jīng)常會(huì)造樂(lè)成率IGBT的擊穿和損壞。因此為辦理IGBT的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題,世界上各IGBT制造商都在出產(chǎn)IGBT的同時(shí),配套出產(chǎn)了其專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)集成電路或模塊。如西門(mén)康公司的SKHI21、 SKHI22驅(qū)動(dòng)模塊、日本富士公司的EXB8系列、日本三菱公司的M579系列等。在海內(nèi)各人較量留意和應(yīng)用較多的是日本富士公司的EXB840、 EXB850、EXB841和日本東芝公司的M57962L、M57959L,但這些驅(qū)動(dòng)器在事情頻率高出30kHz時(shí),其脈沖前后沿便變得較差,且內(nèi)部回收印刷電路板設(shè)計(jì),因此散熱不是很好,加之提供負(fù)柵偏壓的穩(wěn)壓管被封裝在集成電路內(nèi)部,這樣就大概因該穩(wěn)壓管的損壞而使整個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片損壞,別的,由于穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值僅5V,這使得IGBT關(guān)斷時(shí)負(fù)偏壓偏低,從而導(dǎo)致該類(lèi)柵極驅(qū)動(dòng)芯片對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)的不行靠,本文先容的陜西高科電力電子有限責(zé)任公司出產(chǎn)的 HL402A(B)IG-BT驅(qū)動(dòng)集成電路可以補(bǔ)充EXB8系列和M579系列 IGBT驅(qū)動(dòng)器的以上不敷。

  2 HL402A(B)簡(jiǎn)介

  HL402驅(qū)動(dòng)器是國(guó)度“八五”攻關(guān)新成就,為國(guó)度級(jí)新產(chǎn)物。它具有先降柵壓、后軟關(guān)斷的雙重掩護(hù)成果,其降柵壓延遲時(shí)間、降柵壓時(shí)間、軟關(guān)斷斜率均可通過(guò)外接電容器舉辦整定,因而能適應(yīng)差異飽和壓降IGBT的驅(qū)動(dòng)和掩護(hù)。它的研制樂(lè)成填補(bǔ)了海內(nèi)空缺,到達(dá)了國(guó)際90年月的先歷程度。

  2.1引腳分列及成果

  HL402的外形尺寸及引腳分列如圖1所示。它回收單列直插式尺度17引腳厚膜集成電路封裝,共有15個(gè)引腳。各引腳的成果如下:

  ●引腳17:內(nèi)置靜電屏蔽層的高速光耦合器陽(yáng)極毗連端。應(yīng)用中通過(guò)一電阻接正電源,亦可通過(guò)一電阻接用戶脈沖形成單位輸出端,要求提供的電流幅值為12mA,無(wú)論是接用戶脈沖形成部門(mén)的輸出照舊接正電源,串入的電阻值均可按下式計(jì)較:

  R=VIN-2V/12mA(kΩ)

  ●引腳16:內(nèi)置靜電屏蔽層的高速光耦合器陰極毗連端。應(yīng)用中直接接用戶脈沖形成部門(mén)的輸出(當(dāng)引腳17通過(guò)電阻接正電源時(shí)),亦可直接與節(jié)制脈沖形成部門(mén)的地相毗連(當(dāng)引腳17接脈沖形成部門(mén)的脈沖輸出時(shí))。

  ●引腳2:被驅(qū)動(dòng)的IGBT脈沖功率放大輸出級(jí)正電源毗連端。應(yīng)用中接驅(qū)動(dòng)輸出級(jí)電源,要求提供的電壓為25~28V。

  ●引腳4:被驅(qū)動(dòng)的IGBT脈沖功率放大輸出級(jí)正電源參考地端。

  ●引腳5、10:為軟關(guān)斷斜率電容器C5毗連端(其引腳10在HL202內(nèi)部已與引腳4接通)。該兩頭所接電容量的巨細(xì)抉擇著被驅(qū)動(dòng)的IGBT軟關(guān)斷斜率的快慢,推薦值為1000~3000pF。

  ●引腳11、10:降柵壓延遲時(shí)間電容器C6的毗連端。該兩頭所接電容器電容量的巨細(xì)抉擇著降柵壓延遲時(shí)間的是非,該電容的推薦值為0~200pF,當(dāng)該電容的容量較大時(shí),短路電流峰值也較大,所以此電容一般可不接。

  ●引腳12、10:降柵壓時(shí)間按時(shí)電容器C7的毗連端。當(dāng)該電容器較大時(shí),顛末較長(zhǎng)的降柵壓時(shí)間后,被驅(qū)動(dòng)的IGBT才關(guān)斷,這意味著造成被驅(qū)動(dòng)的IGBT損壞的危險(xiǎn)性將增加。所以C7的值不能取得太大,但也不能取得太小,過(guò)小的C7將造成被驅(qū)動(dòng)的IGBT快速降柵壓后關(guān)斷,這有大概導(dǎo)致回路中的電感因被驅(qū)動(dòng)的IGBT快速關(guān)斷而引起過(guò)高的尖峰過(guò)電壓,從而擊穿被驅(qū)動(dòng)的IGBT,所以C7的取值要適當(dāng),一般推薦值為510~1500pF。

  ●引腳1:驅(qū)動(dòng)輸出脈沖負(fù)極毗連端。利用時(shí),接被驅(qū)動(dòng)IGBT的發(fā)射極。

  ●引腳3:驅(qū)動(dòng)輸出脈沖正極毗連端。利用中經(jīng)電阻RG后直接接被驅(qū)動(dòng)IGBT的柵極。電阻RG的取值隨被驅(qū)動(dòng)IGBT容量的差異而差異,當(dāng)被驅(qū)動(dòng)的IGBT為50A/1200V時(shí),RG的典范值應(yīng)為0~20Ω/1W。

  ●引腳9:降柵壓信號(hào)輸入端。利用中需經(jīng)快規(guī)復(fù)二極管接至被驅(qū)動(dòng)IGBT的集電極, 1000UF 16V, 電解電容廠家,當(dāng)需要低落行動(dòng)門(mén)限電壓值時(shí),可再反串一個(gè)穩(wěn)壓二極管(穩(wěn)壓管的陰極接引腳9)。需要留意的是:該快規(guī)復(fù)二極管必需是高壓、超高速快規(guī)復(fù)型,其規(guī)復(fù)時(shí)間應(yīng)不高出50ns,經(jīng)反串穩(wěn)壓二極管后,本來(lái)的行動(dòng)門(mén)限電壓(8.5V)減去穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值即為新的門(mén)限電壓。降柵壓成果可通過(guò)將引腳13與引腳10相短接而刪除。

  ●引腳6:軟關(guān)斷報(bào)警信號(hào)輸出端,最大負(fù)載本領(lǐng)為20mA。它可作為被驅(qū)動(dòng)的輸入信號(hào)的封閉端,可通過(guò)光耦合器(引腳6接光耦合器陰極)來(lái)封閉節(jié)制脈沖形成部門(mén)的脈沖輸出,亦可通過(guò)光耦合器來(lái)發(fā)動(dòng)繼電器,從而分?jǐn)啾或?qū)動(dòng)IGBT地址的主電路。

  ●引腳8:降柵壓報(bào)警信號(hào)輸出端,最大輸出電流為5mA。該端可通過(guò)光耦合器(引腳8接光耦合器陰極)來(lái)封閉節(jié)制脈沖形成部門(mén)的脈沖輸出,亦可通過(guò)光耦合器來(lái)發(fā)動(dòng)繼電器,從而分?jǐn)啾或?qū)動(dòng)的IGBT地址的主回路。

TAG標(biāo)簽: IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)
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