SFX 電源對比 ATX 電源體積更小，因此其很適適用在 Mini-ITX 平臺上。而跟著中高瓦數(shù)的 SFX 電源連續(xù)登場，Mini-ITX 平臺的可用硬件也是越來越多，機能上已經(jīng)不輸給尺度 ATX 平臺。只是 SFX 電源究竟不是主流，中高瓦數(shù)產(chǎn)物的可選范疇就更小了，并且大部門產(chǎn)物的價值并不低，高性價比的選擇很少。為此 EVGA 推出了 SUPERNOVA GM 系列 SFX 電源，以高性價比的姿態(tài)登岸市場，給了玩家新的選擇。

今朝 EVGA 的 SUPERNOVA GM 系列電源有 450/550/650W 三款產(chǎn)物，均為尺度 SFX 電源，從額定功率的設(shè)定上看顯然就是面向主流級市場推出的。本日我們給各人先容的是這三款傍邊額定功率最高的 SUPERNOVA 650 GM，其基于主動式 PFC+ 有源鉗位正激拓撲 + 同步整流 +DC to DC 架構(gòu)打造，回收全模組線材接口，通過了 80Plus 金牌認證，今朝這款電源的市場價為 799 元，可享受 7 年質(zhì)保處事。

EVGA SUPERNOVA 650 GM 電源屬于尺度 SFX 電源

EVGA SUPERNOVA 650 GM 電源回收單路 +12V 輸出設(shè)計，個中 +12V 輸出的額定電流最高為 54.1A，相當于 649.2W 輸出功率；而 +5V 與 +3.3V 則通過 DC to DC 電路從 +12V 轉(zhuǎn)換輸出，最高電流均 20A，兩路連系輸出的額定功率為 100W。

EVGA SUPERNOVA 650 GM 電源回收的是 8cm 直徑 9 扇葉靜音電扇

電源的 AC 交換輸入接口設(shè)置有獨立開關(guān)

EVGA SUPERNOVA 650 GM 電源支持智能電扇停轉(zhuǎn)成果，在電源輸出功率較低的環(huán)境下，電扇會進入停轉(zhuǎn)狀態(tài)，將運行噪音節(jié)制在最低限度。

EVGA SUPERNOVA 650 GM 電源回收全模組線材設(shè)計

EVGA SUPERNOVA 650 GM 電源的模組線材回收黑化設(shè)計，外部都包裹有編織網(wǎng)，共計提供 1 個 24pin 主供電接口、1 個 4+4pin CPU 供電接口，4 個 6+2pin PCI-E 顯卡供電、6 個 SATA 供電和 4 個 D 型 4pin 供電接口，個中 CPU 供電的模組線長度為 400mm，24pin 主供電的線長為 300mm，PCI-E 顯卡供電的模組線材有兩條， 0.33uf 50v，長度別離為 510mm 和 620mm 對付迷你平臺可能小型平臺來說已經(jīng)可以滿意各類走線需求。

EVGA SUPERNOVA 650 GM 電源包裝

EVGA SUPERNOVA 650 GM 電源拆解

EVGA SUPERNOVA 650 GM 電源回收悅倫的 9cm 直徑 9 扇葉散熱電扇，型號為 D92BH-12B，規(guī)格為 DC12V 0.6A，雙滾珠軸承，共同電扇智能溫控技能，可在靜音與散熱效能上得到精采的均衡。

EVGA SUPERNOVA 650 GM 電源由全漢代工，回收有源箝位正激拓撲 ( Active Clamp Reset Forward，即 ACRF ) 架構(gòu)，一次側(cè)回收主動式 PFC，+12V 輸出為同步整流，+5V 與 +3.3V 則是 DC to DC 布局，模組接口 PCB 則回收直插式設(shè)計。

電源 PCB 不和，做工還不錯

電源的交換輸入通過一塊小 PCB 直接插在主 PCB 上，設(shè)置有 1 個 X 電容和 1 對 Y 電容作為一級 EMI，二級 EMI 電路則全部部署在主 PCB 上，設(shè)置有 1 個 X 電容 、1 對 Y 電容和 2 個共模電感。MOV 和 NTC 齊全。

EVGA SUPERNOVA 650 GM 電源的主電容來自尼吉康，規(guī)格均為 420V/330 μ F/105 ℃， 對付有源箝位正激拓撲架構(gòu)的 650W 電源來說，這個規(guī)格的主電容已經(jīng)足夠了。

電源的整流橋、PFC 開關(guān)管、PFC 二極管、有源箝位正激主管、有源箝位正激輔管共用一塊散熱片，個中 整流橋設(shè)置有兩個，背靠背貼在一起后再與散熱片貼合，但由于其他元件否決的原因我們調(diào)查不到其詳細型號；PFC 開關(guān)管為 2 顆英飛凌的 IPA60R180P7，規(guī)格為 650V/11A@100 ℃ /180m Ω，PFC 二極管 是英飛凌的 IDH06G65C6，規(guī)格為 650V/6A@145 ℃。

有源箝位正激主管則是一個 STF25N80K5，規(guī)格為 800V/12.3A@100 ℃ /260m Ω；有源箝位正激輔管是 1 個英飛凌的 SPD02N80C3，規(guī)格為 800V/1.2A@100 ℃ /2.7 Ω；主控利用的是全漢自行開拓的 FSP6600D 芯片，放在電源模組接口 PCB 后頭的一塊 PCB 子板上。

電源的主變壓器，右側(cè)的 PCB 子板就是 FSP6600D 主控地址

EVGA SUPERNOVA 650 GM 電源的 +12V 回收同步整流設(shè)計，設(shè)置有共計 5 個 MosFET，均為英飛凌 BSC0702LS，規(guī)格為 60V/84A@100 ℃ /2.7m Ω，通過導熱墊將熱量傳至電源外殼舉辦散熱。

電源的 +5V 與 +3.3V 輸出回收 DC-DC 設(shè)計，其每路輸出設(shè)置 2 個 MosFET，均為 1 個英飛凌 IPD060N03L（30V/50A@100 ℃ /6m Ω）與 1 個英飛凌 IPD040N03L（30V/76A@100 ℃ /4m Ω）的組合，主控 IC 則是 APW7159C。

模組接口 PCB 上設(shè)置有大量的固態(tài)電容用于濾波

EVGA SUPERNOVA 650 GM 電源測試

每一個測試項目標配置參數(shù)以及意義可以參考我們的文章《如何看懂電源評測，超能網(wǎng)電源評測體系先容》。

平衡負載測試數(shù)據(jù)匯總

轉(zhuǎn)換效率：

EVGA SUPERNOVA 650 GM 在 230V 輸入的情況下，輸出 50W 功率時其轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)高出 80%，后半程輸出 效率靠近于 94%，整體平均效率為 92.51%；而在 115V 輸入情況下，其輸出功率為 50W 電源轉(zhuǎn)換效率同樣高出 80%，后半程輸出效率最高高出 92.5%，滿載轉(zhuǎn)換效率在 89% 到 90% 之間，與 80Plus 金牌認證的電源表示相符。

待機效率

按 Intel ATX12V 2.31 類型中的推薦值，5Vsb 在 100mA/250mA/1A 的負載下轉(zhuǎn)換效率應(yīng)該高于 50%、60%、70%，待機空載輸入小于 1W。

5Vsb 功耗及效率

5Vsb 實際輸出電壓

EVGA SUPERNOVA 650 GM 電源的待機輸出效率以及電壓全部達標，空載輸入 0.29W 也都切合尺度，這方面的表示是較量優(yōu)秀的。

散熱電扇轉(zhuǎn)速：